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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111202796.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法是由西康一;曾根田真也;中谷贵洋设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：涉及反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法。提供避免制造成本的大幅增加，并且具有高闩锁耐量、低恢复损耗的反向导通型半导体装置。半导体基板50具有第1主面F1及第2主面F2。基极接触层14配置于基极层15和第1主面F1之间，构成第1主面F1的一部分。阳极接触区域24配置于阳极层25和第1主面F1之间，构成第1主面F1的一部分，阳极接触区域具有比阳极层25高的第2导电型杂质浓度峰值。阳极接触区域24包含第1阳极接触层24b，该第1阳极接触层具有比基极接触层14低的净浓度和比基极接触层14高的第1导电型杂质浓度。

本发明授权反向导通型半导体装置及反向导通型半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种反向导通型半导体装置，其具有绝缘栅双极晶体管区域及二极管区域，在该反向导通型半导体装置中，具有半导体基板，该半导体基板被包含于所述绝缘栅双极晶体管区域及所述二极管区域，该半导体基板具有第1主面和与所述第1主面相反的第2主面，所述半导体基板包含：漂移层，其横跨所述绝缘栅双极晶体管区域及所述二极管区域，呈第1导电型；基极层，其在所述绝缘栅双极晶体管区域配置于所述漂移层和所述第1主面之间，呈与所述第1导电型不同的第2导电型；发射极层，其在所述绝缘栅双极晶体管区域配置于所述基极层和所述第1主面之间，呈所述第1导电型；基极接触层，其在所述绝缘栅双极晶体管区域配置于所述基极层和所述第1主面之间，构成所述第1主面的一部分，该基极接触层呈所述第2导电型；集电极层，其在所述绝缘栅双极晶体管区域配置于所述漂移层和所述第2主面之间，呈所述第2导电型；阳极层，其在所述二极管区域配置于所述漂移层和所述第1主面之间，呈所述第2导电型；阳极接触区域，其在所述二极管区域配置于所述阳极层和所述第1主面之间，构成所述第1主面的一部分，该阳极接触区域具有比所述阳极层高的第2导电型杂质浓度峰值，呈所述第2导电型；以及阴极层，其在所述二极管区域配置于所述漂移层和所述第2主面之间，呈所述第1导电型，所述反向导通型半导体装置还具有：绝缘栅极构造，其用于通过所述基极层而形成用于对所述发射极层和所述漂移层之间的电气路径进行控制的沟道；集电极电极，其与所述集电极层和所述阴极层电连接；以及发射极电极，其与所述基极接触层、所述阳极接触区域接触，所述阳极接触区域包含第1阳极接触层，该第1阳极接触层具有比所述基极接触层低的净浓度和比所述基极接触层高的第1导电型杂质浓度，所述净浓度是施主浓度和受主浓度的差异的绝对值。

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