上海华虹宏力半导体制造有限公司厉鸣夏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111173686.0，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置是由厉鸣夏;徐兴国;张凌越;姜波;张言成设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置，通过在金属硅化层的湿法刻蚀过程中对酸槽内的刻蚀液进行光照，可以催化产品金属硅化层在刻蚀液中的反应，从而可以补偿因刻蚀液的使用时间增加而降低的刻蚀速率。进一步的，根据所述酸槽内的刻蚀液的使用时间实时调整所述光照的强度，可以实时调整所述产品金属硅化层的刻蚀速率，由此，可使得刻蚀速率较稳定，从而解决因刻蚀液的使用时间增加而导致的刻蚀速率不稳定的问题。
本发明授权金属硅化层的湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种金属硅化层的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述金属硅化层的湿法刻蚀方法包括：提供多个批次的产品衬底，每个批次的所述产品衬底上均形成有产品金属硅化层；利用酸槽内的刻蚀液依次对多个批次的产品金属硅化层进行湿法刻蚀，并在湿法刻蚀过程中对所述酸槽内的刻蚀液进行光照；根据所述酸槽内的刻蚀液的使用时间实时调整所述光照的强度，以实时调整所述产品金属硅化层的刻蚀速率，其中，通过增大所述光照的强度来增加所述产品金属硅化层的刻蚀速率，以补偿因所述刻蚀液的使用时间增加而降低的所述产品金属硅化层的刻蚀速率。
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