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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利通孔的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111134771.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权通孔的制造方法是由赵博超;高宏;肖雨;代新杰设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本通孔的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的底层金属线和底层层间膜表面上形成当前层层间膜。步骤二、定义出通孔的形成区域。步骤三、采用干法刻蚀对当前层层间膜进行主刻蚀形成通孔的开口，主刻蚀的刻蚀气体的选择比的设置同时会使主刻蚀过程中在停止层的表面产生难以去除的副产物。步骤四、采用干法刻蚀进行平坦化刻蚀，以去除停止层表面的副产物，平坦化刻蚀的工艺气体采用氧气加氩气，氧气和副产物进行化学反应使所述副产物分解，氩气对副产物进行物理轰击使副产物剥离。步骤五、填充金属层形成通孔。本发明能消除通孔的填充金属和底层金属线之间的空隙，从而能降低通孔的电阻，提高器件的性能。

本发明授权通孔的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有由底层金属层图形化形成的底层金属线，在所述底层金属线之间间隔有底层层间膜；在所述底层金属线和所述底层层间膜表面上形成当前层层间膜；所述底层金属层的表面上形成有Ti层和TiN层；步骤二、定义出通孔的形成区域，所述通孔的形成区域位于所述底层金属线的选定区域的正上方；步骤三、采用干法刻蚀对所述当前层层间膜进行主刻蚀形成所述通孔的开口，所述主刻蚀以所述底层金属线的表面层为停止层，所述停止层为所述TiN层；所述主刻蚀的刻蚀气体的选择比要求保证对所述停止层进行刻蚀选择以及确保形成满足要求的过刻蚀窗口，以所述通孔的开口形成后所述通孔的开口内所述停止层表面上的所述当前层层间膜都被去除干净；所述主刻蚀的刻蚀气体的选择比的设置同时会使所述主刻蚀过程中在所述停止层的表面产生难以去除的副产物；所述主刻蚀的刻蚀气体为C4F8，使所述主刻蚀的刻蚀气体的选择比满足要求；所述副产物中包括C2F5+；步骤四、采用干法刻蚀进行平坦化刻蚀，以去除所述停止层表面的副产物并从而使所述通孔的开口的底部表面平坦，所述平坦化刻蚀的工艺气体采用氧气加氩气，所述氧气和所述副产物进行化学反应使所述副产物分解，所述氩气对所述副产物进行物理轰击使所述副产物剥离；所述氧气和所述副产物的化学反应方程式为：C2F5++O2--CF2++COF3+；CF2+和COF3+都为易去除的物质；步骤五、在所述通孔的开口中填充金属层形成所述通孔；在所述通孔的开口中填充的金属层为Al层，所述通孔的开口的底部表面平坦后使所述Al层和底部的所述TiN层形成无缝隙接触，以降低所述通孔的接触电阻。

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