上海韦尔半导体股份有限公司陈兆同获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种超低电容ESD保护器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111130486.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种超低电容ESD保护器件及其制备方法是由陈兆同;张栋;郗瑞千;张烁设计研发完成，并于2021-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低电容ESD保护器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种超低电容ESD保护器件及其制备方法，所述方法包括，在衬底上形式第一掺杂类型的外延层；在外延层远离所述衬底的表面在预设温度下形成阻挡氧化层；所述预设温度为1000℃～1500℃；在所述外延层背离衬底的一侧形成第二掺杂类型的阱区；在所述阱区形成第一掺杂类型和第二掺杂类型的注入区；在所述阻挡氧化层远离外延层的表面通过低压化学气相沉积隔离氧化层；在隔离氧化层对应注入区的位置形成接触孔，在所述接触孔中沉积金属以引出保护器件的阳极或阴极，本申请实施例提供的技术方案实现保护器件的超低电容的目标。
本发明授权一种超低电容ESD保护器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低电容ESD保护器件的制备方法，其特征在于，包括，在衬底上形式第一掺杂类型的外延层；在外延层远离所述衬底的表面在预设温度下形成阻挡氧化层；所述阻挡氧化层的厚度为100纳米以内；在所述外延层背离衬底的一侧形成第二掺杂类型的阱区；在所述阱区形成第一掺杂类型和第二掺杂类型的注入区；在所述阻挡氧化层远离外延层的表面通过低压化学气相沉积隔离氧化层，所述隔离氧化层的厚度为1000纳米~2000纳米；在隔离氧化层对应注入区的位置形成接触孔，在所述接触孔中沉积金属以引出保护器件的阳极或阴极；所述预设温度为1200℃；所述形成阻挡氧化层之后，包括，在N2或Ar气氛中对形成的阻挡氧化层进行退火处理。
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