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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113887028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111093533.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备是由李晨;韦亚一;陈睿;邵花;严琦设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备，涉及微电子技术领域。刻蚀仿真模型的确定方法，方法包括：根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布，确定当前时刻衬底表面上各个位点的刻蚀速率，得到一维刻蚀速率数据集；基于各个位点的坐标，将一维刻蚀速率数据集转换为二维刻蚀速率数据集；将二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据拓展至平面，确定拓展刻蚀速率数据集；基于拓展刻蚀速率数据集以及水平集函数，确定当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集；至少基于当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集，确定刻蚀仿真模型，对刻蚀速率进行拓展，从衬底表面至衬底内部，保证刻蚀过程模拟中的数值稳定性和所建立的目标仿真模型的准确定和可靠性。

本发明授权一种刻蚀仿真模型的确定方法、装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀仿真模型的确定方法，其特征在于，应用于对衬底的刻蚀中，所述方法包括：根据当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布，确定所述当前时刻衬底表面上各个位点的刻蚀速率，得到一维刻蚀速率数据集，包括：基于所述当前时刻衬底形貌数据和离子流量分布确定当前时刻衬底表面轮廓的刻蚀速率函数；基于所述刻蚀速率函数确定衬底轮廓上各个位点的一维刻蚀速率数据集；基于所述各个位点的坐标，将所述一维刻蚀速率数据集转换为二维刻蚀速率数据集；将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据拓展至平面，确定拓展刻蚀速率数据集，包括：将所述二维刻蚀速率数据集中的每个二维刻蚀速率数据中的刻蚀速率沿相应所述位点的法向拓展到对应的平面，得到拓展刻蚀速率集；基于所述拓展刻蚀速率数据集以及水平集函数，确定所述当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集，包括满足公式：其中，表示哈密顿算子；F表示所述拓展刻蚀速率集；T是以所述拓展刻蚀速率数据集中当前位点对应的刻蚀速率进行刻蚀时，从所述衬底表面刻蚀到所述衬底内部所需的时间；至少基于所述当前时刻衬底的刻蚀轮廓数据集，确定所述刻蚀仿真模型。

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