长鑫存储技术有限公司邱少稳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111051957.5，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器是由邱少稳设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构至少可以包括：依次设置的两层光刻层，每一所述光刻层包括功能图案和套刻标记，所述光刻层包括第一光刻层和第二光刻层，所述第一光刻层包括第一功能图案和第一套刻标记，所述第二光刻层包括第二功能图案和第二套刻标记；至少一层阻拦层，所述阻拦层位于所述第一功能图案与所述第二功能图案之间，在所述光刻层的堆叠方向上，所述第一功能图案与所述第二功能图案之间的垂直距离大于所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的垂直间距。本申请实施例有利于提升半导体结构及存储器的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：依次设置的两层光刻层，每一所述光刻层包括功能图案和套刻标记，所述光刻层包括第一光刻层和第二光刻层，所述第一光刻层包括第一功能图案和第一套刻标记，所述第二光刻层包括第二功能图案和第二套刻标记；至少一层阻拦层，所述阻拦层位于所述第一功能图案与所述第二功能图案之间，在所述光刻层的堆叠方向上，所述第一功能图案与所述第二功能图案之间的垂直距离大于所述第一套刻标记与所述第二套刻标记之间的垂直间距。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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