长鑫存储技术有限公司龙强获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体基板及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111020690.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体基板及半导体装置是由龙强设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板及半导体装置在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了半导体基板及半导体装置，阵列区包括主存储单元；外围区包括反熔丝存储单元；可以采用主存储单元的制备工艺形成反熔丝存储单元的结构。本公开实施例中，利用主存储单元的制备工艺形成尺寸较小的主存储单元中的晶体管和电容结构实现反熔丝功能，这样可以降低反熔丝存储单元内的器件的尺寸，进而大幅度降低反熔丝电路面积在外围区面积的占比。
本发明授权半导体基板及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板，其特征在于，包括：半导体衬底，包括阵列区和外围区；其中，所述阵列区包括主存储单元；所述外围区包括反熔丝存储单元；所述反熔丝存储单元的结构采用所述主存储单元的制备工艺形成；所述外围区还包括副存储电容器；其中一个副存储电容器与一个所述反熔丝存储单元电连接；所述外围区还包括修复控制电路；所述修复控制电路与所述反熔丝存储单元连接，并且，所述修复控制电路通过所述反熔丝存储单元与所述副存储电容器连接；所述修复控制电路被配置为在确定所述阵列区中存在损坏的主存储单元时，控制相应的所述反熔丝存储单元工作，以将电连接的副存储电容器替换损坏的所述主存储单元。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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