长鑫存储技术有限公司赵堃获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体设备内气体浓度的监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732352B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110987231.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体设备内气体浓度的监测方法是由赵堃设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备内气体浓度的监测方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体设备内气体浓度的监测方法，涉及半导体技术领域，该半导体设备内气体浓度的监测方法包括：提供一反应腔体，反应腔体至少包括第一区域和第二区域，第一区域和第二区域处于不同的位置；将多个晶圆设置在反应腔体中，其中，将位于第一区域上的晶圆定义为第一晶圆，将位于第二区域上的晶圆定义为第二晶圆；向反应腔体内通入气体，以使气体分别与第一晶圆和第二晶圆反应；分别测量第一晶圆和第二晶圆的电阻，并分别定义为第一电阻和第二电阻；比较第一电阻和第二电阻，以获得第一区域相对于第二区域的气体浓度。本公开提供的半导体设备内气体浓度的监测方法，能够获取气体在半导体设备的反应腔体中的浓度分布。
本发明授权半导体设备内气体浓度的监测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备内气体浓度的监测方法，其特征在于，包括：提供一反应腔体，所述反应腔体至少包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域处于不同的位置；将多个晶圆设置在所述反应腔体中，其中，将位于所述第一区域上的所述晶圆定义为第一晶圆，将位于第二区域上的所述晶圆定义为第二晶圆；向所述反应腔体内通入气体，以使所述气体分别与所述第一晶圆和所述第二晶圆反应；分别测量所述第一晶圆和所述第二晶圆的电阻，并分别定义为第一电阻和第二电阻；比较所述第一电阻和所述第二电阻，以获得所述第一区域相对于所述第二区域的气体浓度；其中，若所述第二电阻大于所述第一电阻，则所述第二区域的气体浓度大于所述第一区域的气体浓度；其中，若所述第二区域的气体浓度大于所述第一区域的气体浓度，则所述第二区域在所述反应腔体内的位置高于所述第一区域在所述反应腔体内的位置。
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