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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110720082.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点是由A·赛伊迪·瓦赫达;J·A·斯迈思三世;李时雨;G·S·桑胡;S·E·西里斯设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点在说明书摘要公布了：提供了用于在用于竖直三维3D存储器的三节点存取装置形成后的存储节点的系统、方法和设备。示例方法包含一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线。所述方法包含沉积介电材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠。穿过所述竖直堆叠形成多个第一竖直开口以在所述竖直堆叠中形成具有侧壁的细长竖直柱列。在所述第一竖直开口中在栅极介电材料上保形地沉积第一导电材料。去除所述第一导电材料的各部分，以沿所述细长竖直柱列的所述侧壁形成多条单独的竖直存取线。穿过所述竖直堆叠形成第二竖直开口以暴露所述牺牲材料的第一区域。

本发明授权竖直三维(3D)存储器的三节点存取装置形成后的存储节点在权利要求书中公布了：1.一种用于形成竖直堆叠的存储器胞元的阵列的方法，所述阵列具有水平定向的存取装置和竖直定向的存取线，所述方法包括：沉积介电材料430，630，730，830，930，1030和牺牲材料432，632，732，832，932的交替层以形成竖直堆叠401；穿过所述竖直堆叠401形成多个第一竖直开口771，871，所述多个第一竖直开口具有第一水平方向509，609，709，809，909和第二水平方向505，605，705，805，905，1005并且主要在所述第二水平方向505，605，705，805，905，1005上延伸以在所述竖直堆叠401中形成具有侧壁514的细长竖直柱列513，542，642；在所述第一竖直开口771，871中在栅极介电材料538，638，738，838，938上保形地沉积第一导电材料540；去除所述第一导电材料540的各部分，以沿所述细长竖直柱列513，542，642的所述侧壁514形成多条单独的竖直存取线103，203，303，640，740，840，940，1040；穿过所述竖直堆叠401形成第二竖直开口，所述第二竖直开口主要在第一水平方向509，609，709，809，909上延伸，以暴露所述牺牲材料432，632，732，832，932的第一区域742，842；选择性地去除所述第一区域742，842以在所述牺牲材料432，632，732，832，932中形成第一水平开口733，在所述第一水平开口中，形成水平定向的三节点存取装置230，330，898，998的第一源极漏极材料221，321，898-1A，1098-1A、沟道材料223，323，898-1B，1098-1B和第二源极漏极材料225，325，898-1C，1098-1C；穿过所述竖直堆叠401形成第三竖直开口，所述第三竖直开口主要在所述第一水平方向509，609，709，809，909上延伸，以暴露所述牺牲材料432，632，732，832，932的第二区域744，844，944；在所述第一区域742，842中形成所述三节点存取装置230，330，898，998之后选择性地去除所述第二区域744，844，944以在所述牺牲材料432，632，732，832，932中形成第二水平开口，在所述第二水平开口中，形成电耦接到所述第一源极漏极材料221，321，898-1A，1098-1A的存储节点227，1044的第二水平开口。

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