中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司汤霞梅获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110413916.X，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法是由汤霞梅;倪百兵设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一硬掩膜层和第二硬掩膜层以及图案化的心轴层，所述图案化的心轴层包括若干暴露所述第二硬掩膜层的第一沟槽；在所述第一沟槽之间的心轴层中形成若干第一隔断开口；在所述第一沟槽暴露的第二硬掩膜层中形成若干第二隔断开口；在所述第一沟槽两侧形成侧墙，所述侧墙不填满所述第一沟槽，所述侧墙还填满所述第一隔断开口、第二隔断开口；在未填满的第一沟槽中形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以及部分心轴层形成若干第二沟槽；继续刻蚀剩余心轴层形成若干第三沟槽；沿所述第二沟槽和所述第三沟槽刻蚀至所述基底中；去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面依次形成有第一硬掩膜层和第二硬掩膜层以及图案化的心轴层，所述图案化的心轴层包括若干暴露所述第二硬掩膜层的第一沟槽；在所述第一沟槽之间的心轴层中形成若干第一隔断开口；在所述第一沟槽暴露的第二硬掩膜层中形成若干第二隔断开口；在所述第一沟槽两侧形成侧墙，所述侧墙不填满所述第一沟槽，所述侧墙还填满所述第一隔断开口、第二隔断开口；在未填满的第一沟槽中形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以及部分心轴层形成若干第二沟槽；继续刻蚀剩余心轴层形成若干第三沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽和第三沟槽的宽度；沿所述第二沟槽和所述第三沟槽刻蚀至所述基底中；去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层。
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