华邦电子股份有限公司林庚平获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利存储器结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110351046.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器结构及其制造方法是由林庚平;李书铭;欧阳自明设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器结构及其制造方法。上述存储器结构包括基底、位线结构、接触窗结构、终止层与电容器结构。基底包括存储器阵列区。位线结构位于存储器阵列区中，且位于基底上。接触窗结构位于存储器阵列区中，且位于位线结构一侧的基底上。终止层位于存储器阵列区中，且位于位线结构上方。电容器结构位于存储器阵列区中。电容器结构穿过终止层且电性连接至接触窗结构。电容器结构的底面低于终止层的底面。上述存储器结构可有效地增加电容器结构的电容，进而提升存储器元件的电性效能。
本发明授权存储器结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构，其特征在于，包括：基底，包括存储器阵列区；位线结构，位于所述存储器阵列区中，且位于所述基底上；接触窗结构，位于所述存储器阵列区中，且位于所述位线结构一侧的所述基底上；终止层，位于所述存储器阵列区中，且位于所述位线结构上方；电容器结构，位于所述存储器阵列区中，其中所述电容器结构穿过所述终止层且电性连接至所述接触窗结构，且所述电容器结构的底面低于所述终止层的底面；虚拟导体层，位于所述存储器阵列区的边缘；以及导体层，设置在所述电容器结构与所述接触窗结构之间，其中所述导体层的顶面与所述虚拟导体层的顶面等高。
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