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山东浪潮华光光电子股份有限公司徐晓强获国家专利权

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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975741B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110187714.8,技术领域涉及:H10H20/857;该发明授权一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法是由徐晓强;程昌辉;王梦雪;闫宝华;王成新设计研发完成,并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法,包括如下步骤:1晶片准备;2晶片放置:将GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中,然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置楔子,再将步骤1中制备好的硅片的的金属粘附层朝下放置在GaAs基LED晶片上,使得楔子将GaAs基LED晶片与硅片间隔开,并且将硅片的切边与GaAs基LED晶片的切边对齐;3抽真空、贴片;4压片;5高温键合;6管芯结构制作。本发明提供的方法可以大幅度减少或杜绝键合过程中裂纹裂片的产生,适用于所有LED晶片的键合制程,且成本低廉,质量稳定。

本发明授权一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法在权利要求书中公布了:1.一种减少GaAs基发光二极管手动键合过程中裂纹的工艺方法,其特征在于,包括如下步骤:1晶片准备:在GaAs基LED晶片的表面依次生长欧姆接触层、电流阻挡层和第二反射镜层,在硅片上依次生长第一反射镜层和金属粘附层;2晶片放置:将步骤1制备的GaAs基LED晶片的第二反射镜层朝上平放在耐高温袋中,然后在GaAs基LED晶片第二反射镜层的边缘放置楔子,再将步骤1中制备好的硅片的金属粘附层朝下放置在GaAs基LED晶片上,使得楔子将GaAs基LED晶片与硅片间隔开,并且将硅片的切边与GaAs基LED晶片的切边对齐;3抽真空、贴片:使用薄膜封口机对耐高温袋进行抽真空,并密封,自动完成贴片;4压片:将步骤3贴片完成的晶片放置在半自动压片机下进行压片;5高温键合:将步骤4压片完成的晶片放置在烘箱内进行加热,完成键合;6管芯结构制作:对步骤5键合完成的晶片,依次进行衬底腐蚀、扩展电极、P面电极、表面粗化刻槽、硅片减薄、硅片N面电极、管芯切割,完成管芯的制作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人山东浪潮华光光电子股份有限公司,其通讯地址为:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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