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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257310B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110119728.6，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法是由M·F·佩罗尼;F·E·C·迪塞格尼;M·拉帕拉卡;C·托尔蒂设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法。一种实施例电压产生电路，用于具有存储器阵列的存储器，存储器阵列具有被耦合到相应的字线和局部位线的多个存储器单元，每个存储器单元具有存储元件和选择器元件，双极晶体管被耦合到存储元件，用于在读取或验证操作期间单元电流的选择性流动，以及选择器元件的基极端子被耦合到相应的字线；与每个位线相关联的是具有控制端子的偏置晶体管，并且该电路为该控制端子产生共源共栅电压；驱动级被耦合到每个字线的一端。该电路基于参考电压产生共源共栅电压，该参考电压是驱动级、字线以及存储器单元上的电压降的仿真的函数，是由于与对应的选择器元件相关联的电流而产生的。

本发明授权非易失性存储器设备的位线电压产生电路和对应的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于非易失性存储器设备的电压产生电路，所述非易失性存储器设备包括存储器阵列，所述存储器阵列具有被耦合到相应的字线和局部位线的多个存储器单元，每个存储器单元包括存储元件和选择器元件，所述选择器元件包括双极晶体管，所述双极晶体管被耦合到所述存储元件，并且被配置为选择性地使单元电流能够在读取或验证操作期间流动，其中所述选择器元件的基极端子被耦合到相应的字线，其中感应放大器级经由列解码器与所述局部位线相关联，其中所述感应放大器级在所述感应放大器级的输入处包括相应的偏置晶体管，相应的所述偏置晶体管各自具有控制端子，并且其中驱动器级被耦合到每个字线，以在所述读取或验证操作期间对所述字线进行偏置，其中所述电压产生电路被配置为：基于参考电压，针对所述偏置晶体管的所述控制端子产生共源共栅电压，其中由于与对应的所述选择器元件相关联的电流，所述参考电压是所述驱动器级上、所述字线上、以及所述存储器单元上相应的电压降的仿真的函数。

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