买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利采用用于缺陷减小的隔离结构的互补单元电路及相关制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115152012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180016226.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权采用用于缺陷减小的隔离结构的互补单元电路及相关制造方法是由杨海宁;鲍军静设计研发完成，并于2021-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用用于缺陷减小的隔离结构的互补单元电路及相关制造方法在说明书摘要公布了：为了防止互补单元电路的晶体管的源极漏极之间的短路缺陷，在隔离区的相应侧上生长P型外延层和N型外延层之前，在晶体管的源极漏极之间的隔离区中形成隔离壁414A。所述隔离壁提供了物理屏障以防止形成否则可能在P型外延层412P和N型外延层412N之间形成的短路缺陷。因此，隔离壁防止由于互补单元电路中的晶体管的源极漏极区之间的电短路而导致的电路故障。可以减小电路单元布局中的P型晶体管和N型晶体管之间的隔离区的宽度，使得可以减小互补单元电路的总布局面积而不会减小产品产量。可以利用形成隔离壁的工艺在虚设栅极中形成栅极切口。

本发明授权采用用于缺陷减小的隔离结构的互补单元电路及相关制造方法在权利要求书中公布了：1.一种互补单元电路，包括：半导体衬底，包括：P型区；N型区；以及隔离区，在所述P型区和所述N型区之间，所述隔离区具有在第一轴线的方向上延伸的宽度；栅极，在所述第一轴线的所述方向上纵向延伸，所述栅极跨所述P型区、所述隔离区和所述N型区中的每一者的部分延伸；第一P型外延epi源极漏极SDepi-SD，形成在所述栅极的第一侧上的所述P型区上，所述第一P型epi-SD在所述第一轴线的第一方向上在所述隔离区上方延伸；第一N型epi-SD，形成在所述栅极的所述第一侧上的所述N型区上，所述第一N型epi-SD在所述第一轴线的第二方向上在所述隔离区上方延伸；第一隔离壁，在所述栅极的所述第一侧上在与所述第一轴线正交的第三方向上从所述隔离区延伸，所述第一隔离壁将所述第一P型epi-SD与所述第一N型epi-SD隔离；第二P型epi-SD，形成在所述栅极的第二侧上的所述P型区上，所述第二P型epi-SD在所述第一轴线的所述第一方向上在所述隔离区上方延伸；第二N型epi-SD，形成在所述栅极的所述第二侧上的所述N型区上，所述第二N型epi-SD在所述第一轴线的所述第二方向上在所述隔离区上方延伸；以及第二隔离壁，在所述栅极的所述第二侧上在与所述第一轴线正交的所述第三方向上从所述隔离区延伸，所述第二隔离壁将所述第二P型epi-SD与所述第二N型epi-SD隔离；其中所述第一隔离壁的底端和所述第二隔离壁的底端在所述隔离区的顶表面下方，使得所述隔离区为所述第一隔离壁和所述第二隔离壁提供结构支撑。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人高通股份有限公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。