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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利包含在SiC制载体衬底上的单晶SiC制薄层的复合结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115023802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180011817.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权包含在SiC制载体衬底上的单晶SiC制薄层的复合结构的制造方法是由H·比亚尔设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含在SiC制载体衬底上的单晶SiC制薄层的复合结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制造复合结构的方法，所述复合结构包含在由碳化硅制成的载体衬底上设置的由单晶碳化硅制成的薄层，所述方法包括：a提供由单晶碳化硅制成的供体衬底的步骤，b将轻物质离子注入供体衬底中以形成隐埋脆性平面的步骤，所述隐埋脆性平面界定所述隐埋脆性平面与所述供体衬底的自由表面之间的薄层，c形成结晶载体层的连续n个步骤，其中，n大于或等于2；n个结晶载体层依次叠放位于所述供体衬底的正面，并形成所述载体衬底；各个形成步骤包括：‑在低于900℃的温度下进行直接液体喷射化学气相沉积以形成载体层，所述载体层由至少部分非晶的SiC基质形成，并且具有小于或等于200微米的厚度；‑在小于或等于1000℃的温度下对载体层进行结晶热处理以形成结晶载体层；d沿所述隐埋脆性平面分离的步骤，从而一方面形成包含在载体衬底上的薄层的复合结构，另一方面形成所述供体衬底的其余部分。

本发明授权包含在SiC制载体衬底上的单晶SiC制薄层的复合结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造复合结构1的方法，所述复合结构1包含在由碳化硅制成的载体衬底20上设置的由单晶碳化硅制成的薄层10，所述方法包括：a提供由单晶碳化硅制成的衬底111的步骤，b将轻物质离子注入供体衬底111中以形成隐埋脆性平面12的步骤，所述隐埋脆性平面12界定所述隐埋脆性平面12与所述供体衬底111的自由表面之间的薄层10，c形成结晶载体层20”的连续n个步骤，其中，n大于或等于2；n个结晶载体层20”依次叠放位于所述供体衬底111的正面，并形成所述载体衬底20；各个形成步骤包括：-在低于900℃的温度下进行直接液体喷射化学气相沉积以形成载体层20'，所述载体层20'由至少部分非晶的SiC基质形成，并且具有小于或等于200微米的厚度；-在小于或等于1000℃的温度下对所述载体层20'进行结晶热处理以形成结晶载体层20”；d沿所述隐埋脆性平面12分离的步骤，从而一方面形成包含在载体衬底20上的薄层10的复合结构1，另一方面形成所述供体衬底的其余部分111'。

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