中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司涂武涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110032936.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由涂武涛;王彦;邱晶设计研发完成，并于2021-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底包括衬底、分立于衬底上的鳍部、位于鳍部露出衬底上的隔离层、位于隔离层上且横跨鳍部的伪栅结构以及覆盖伪栅结构侧壁且露出伪栅结构顶部的层间介质层；去除伪栅结构，在层间介质层中形成栅极开口；在栅极开口中形成退火牺牲层；去除退火牺牲层；形成具有第一凹槽的掩膜层，第一凹槽的延伸方向与鳍部的延伸方向相同，第一凹槽露出部分第一区域和第二区域交界处的栅极开口；在第一凹槽中形成第一阻断层。因此第一区域和第二区域交界处的退火牺牲层的去除工艺窗口较大，不易存在残留，使得第一栅极结构和第二栅极结构能够更好的控制半导体结构的阈值电压。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括相邻的第一区域和第二区域，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的鳍部、位于所述鳍部露出所述衬底上的隔离层、位于所述隔离层上且横跨所述鳍部的伪栅结构以及覆盖所述伪栅结构侧壁且露出所述伪栅结构顶部的层间介质层；去除所述伪栅结构，在所述层间介质层中形成栅极开口；形成保形覆盖所述栅极开口的栅介质层；在所述栅极开口中形成覆盖所述栅介质层的退火牺牲层；去除所述退火牺牲层；去除所述退火牺牲层后，在所述栅极开口中和层间介质层上形成具有第一凹槽的掩膜层，所述第一凹槽的延伸方向与所述鳍部的延伸方向相同，所述第一凹槽露出部分所述第一区域和第二区域交界处的所述栅极开口；在所述第一凹槽中形成第一阻断层。
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