台湾积体电路制造股份有限公司廖耕颍获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利影像感测器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110026097.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权影像感测器装置及其形成方法是由廖耕颍;董怀仁;宋至伟;陈柏仁;辜瑜倩;林玉珠;任啟中;吴彦柔;王诗贤设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本影像感测器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：揭示一种影像感测器装置及其形成方法。装置包括设置在半导体层的第一表面上方的多个像素。装置包括设置在第一表面上方的装置层。装置包括设置在装置层上方的多个金属化层。金属化层中的一者包括至少一个导电结构，金属化层中的此者比金属化层的其他者更接近第一表面。装置包括设置在半导体层的第二表面上方的氧化物层，第二表面与第一表面相对，氧化物层亦内衬于凹部，凹部延伸穿过半导体层。装置包括设置在凹部的多个内侧壁与氧化物层之间的间隔层。装置包括衬垫结构，衬垫结构延伸穿过氧化物层及装置层以与至少一个导电结构实体接触。
本发明授权影像感测器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种影像感测器装置，其特征在于，包含：具有一第一表面及一第二表面的一半导体层，该第二表面与该第一表面相对；一导电结构，设置在该第一表面上，其中一介电层设置在该导电结构与该第一表面之间；及一衬垫区域，包含自该第一表面至该第二表面延伸穿过该半导体层的一凹部，该衬垫区域包含：一间隔层，沿着该凹部的多个内侧壁延伸，其中该间隔层包括具有一第一横向宽度的一上部部分及具有一第二横向宽度的一下部部分，该第二横向宽度大于该第一横向宽度；一氧化物层，内衬于该间隔层上方的该凹部；及一衬垫结构，延伸穿过该氧化物层及该介电层以与该导电结构实体接触，其中该氧化物层的一部分在该衬垫结构的一部分下方并位于该衬垫结构与该介电层之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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