华为技术有限公司秦健鹰获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种存储器件、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116602070B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107461.2，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权一种存储器件、电子设备是由秦健鹰;杨喜超;李小波;胡小剑设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器件、电子设备在说明书摘要公布了：一种存储器件、电子设备，在存储器件中，铁电层113、与铁电层113接触的第一导体层112、与铁电层113接触的导体结构116可以构成一个存储单元，铁电层113、与铁电层113接触的第二导体层114、与铁电层113接触的导体结构116可以构成一个存储单元，实现铁电存储器的三维化，一层铁电层113中可以用于形成两个存储单元，实现了存储容量的进一步提升。隔离结构115尺寸较大，相较于深孔而言刻蚀难度小，导体结构116所在的深孔形成时的刻蚀对象是绝缘材料的隔离结构，避开了难刻蚀的铁电层116和导体层112，因此其刻蚀精度更高，将深孔设置在隔离结构115之内，在保证器件功能的前提下节省了器件面积，提高器件集成度，使三维的铁电存储器具有更加优异的性能。
本发明授权一种存储器件、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的多层复合存储层，不同复合存储层之间利用绝缘层隔开；每层所述复合存储层包括依次层叠的第一导体层、铁电层、第二导体层；纵向贯穿所述复合存储层的隔离结构，所述隔离结构为绝缘材料；在所述复合存储层的朝向所述隔离结构的侧壁上，所述铁电层具有凸出所述第一导体层和所述第二导体层的凸出部分；纵向贯穿所述隔离结构的多个导体结构；所述导体结构与所述铁电层的凸出部分接触，与所述第一导体层和所述第二导体层之间通过所述隔离结构隔离开。
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