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力成科技股份有限公司张简上煜获国家专利权

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龙图腾网获悉力成科技股份有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114520205B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011527139.3,技术领域涉及:H01L23/485;该发明授权封装结构及其制造方法是由张简上煜;林南君;徐宏欣设计研发完成,并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种封装结构及其制造方法,所述封装结构包括第一芯片、第二芯片、介电体、导电端子、线路层以及图案化绝缘层。第二芯片配置于第一芯片上。第二芯片的第二主动面面向第一芯片的第一主动面。介电体覆盖第一芯片。导电端子位于介电体上且相对于第二芯片。线路层包括第一线路部分以及第二线路部分。第一线路部分贯穿介电体。第一芯片经由第一线路部分电性连接于导电端子。第二线路部分嵌入介电体。第二芯片经由第二线路部分电性连接于第一芯片。图案化绝缘层覆盖线路层且嵌入介电体。

本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种封装结构,其特征在于,包括:重布线路层;第一芯片,位于所述重布线路层上,且具有第一主动面;第二芯片,具有第二主动面,且所述第二芯片以所述第二主动面面向所述第一主动面的方式设置于所述第一芯片上;介电体,位于所述重布线路层上,且覆盖所述第一芯片;导电端子,位于所述重布线路层上且相对于所述第二芯片;第一线路层,包括籽晶层和设置于所述籽晶层上的镀覆层,其中所述籽晶层的一部分和位于其上的所述镀覆层的一部分构成第一线路部分,所述籽晶层的另一部分和位于其上的所述镀覆层的另一部分构成第二线路部分,其中:所述第一线路部分贯穿所述介电体,且所述第一芯片经由所述第一线路部分电性连接于所述导电端子;所述第二线路部分嵌入所述介电体,且所述第二芯片经由所述第二线路部分电性连接于所述第一芯片;且所述第一线路部分的一部分嵌入所述重布线路层中;以及第一图案化绝缘层,覆盖所述第一线路层且嵌入所述介电体,其中:所述介电体具有介电底面,所述第一线路层的籽晶层具有导电底面,所述介电底面平行于所述导电底面,且所述介电底面与所述导电底面不共面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人力成科技股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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