台湾积体电路制造股份有限公司叶柏男获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011521599.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及方法是由叶柏男;汪于仕;叶明熙设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中，一种器件包括：半导体衬底；第一层间电介质ILD，位于半导体衬底上方；第一导电特征，延伸穿过第一ILD；第一蚀刻停止层，位于第一导电特征和第一ILD上方，第一蚀刻停止层是第一电介质材料；第二ILD，位于第一蚀刻停止层上方；接触，具有延伸穿过第二ILD的第一部分和延伸穿过第一蚀刻停止层的第二部分，该接触被物理地和电耦合到第一导电特征；以及第一保护层，围绕接触的第二部分，接触的第一部分没有第一保护层，第一保护层是第二电介质材料，第二电介质材料不同于第一电介质材料。
本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在第一层间电介质ILD上方沉积蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括第一电介质材料；在所述蚀刻停止层上方沉积第二ILD；利用第一干法蚀刻工艺穿过所述第二ILD蚀刻第一开口，所述第一开口暴露所述蚀刻停止层的第一区域，所述第一区域被所述第一干法蚀刻工艺改性为第二电介质材料，所述蚀刻停止层的第二区域保持被所述第二ILD所覆盖，所述第二区域在所述第一干法蚀刻工艺之后为所述第一电介质材料，其中穿过所述第二ILD的所述第一开口具有第一宽度；以及利用第一湿法蚀刻工艺将所述第一开口延伸穿过所述蚀刻停止层，所述蚀刻停止层在所述第一湿法蚀刻工艺期间暴露于第一蚀刻溶液，所述第一蚀刻溶液包括用于所述第一电介质材料的电介质保护剂以及用于所述第二电介质材料的蚀刻剂，其中穿过所述蚀刻停止层的所述第一开口具有第二宽度，所述第二宽度比所述第一宽度大第一距离。
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