中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116210084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103847.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;马丽莎设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在第一区域100M和第二区域100L的基底100上形成分立的多晶硅栅极层200，第一区域100M的多晶硅栅极层200包括底部栅极层210和凸出于底部栅极层210的顶部栅极层220，顶部栅极层220与底部栅极层210围成凹槽230，凹槽230的侧壁上形成有研磨阻挡层240；在多晶硅栅极层200侧部的基底100上形成层间介质层320；去除第二区域100L的多晶硅栅极层200形成栅极开口330；在栅极开口330中形成金属栅极层340。第一区域100M的多晶硅栅极层200具有凹槽230，使得顶部栅极层220的线宽尺寸、顶面面积以及与相邻顶部栅极层220之间间距较小，而且，研磨阻挡层240位于凹槽230的侧壁，能够在平坦化处理过程中起到研磨阻挡的作用，有利于改善第一区域100M的多晶硅栅极层200的顶面凹陷问题，提升了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括用于形成第一器件的第一区域和用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道长度大于所述第二器件的沟道长度；多晶硅栅极层，位于所述第一区域的基底上，所述多晶硅栅极层包括底部栅极层和凸出于所述底部栅极层的顶部栅极层，所述顶部栅极层与所述底部栅极层围成凹槽；金属栅极层，位于所述第二区域的基底上；研磨阻挡层，位于所述凹槽的侧壁上；层间介质层，位于所述金属栅极层和多晶硅栅极层侧部的基底上。
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