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龙图腾网获悉中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011447090.0，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极及其制备方法是由王洪;李先辉设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极，包括GaN基HEMT外延层，GaN基HEMT外延层内设置有GaN沟道层，电极包括在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al和第三金属层TiW，或从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层Ti和第四金属层TiW。还相应公开了该电极的制备方法。本发明有效降低GaN基HEMT欧姆接触的退火温度，改善AlGaN势垒层整体刻蚀造成的2DEG泄露和形成欧姆接触时的电流减少，降低了欧姆接触的形成难度，低温退火合金后的欧姆接触表面形貌及边缘更加平整。同时有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。

本发明授权一种GaN基HEMT低温无金欧姆接触电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基HEMT器件，其特征在于，包括GaN基HEMT外延层，所述GaN基HEMT外延层内设置有GaN沟道层，电极包括在GaN基HEMT外延层的上表面从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al和第三金属层TiW，或从下到上依次排列设置第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层Ti和第四金属层TiW；所述GaN基HEMT器件的制备包括以下步骤：（1）利用光刻技术在GaN基外延层上定义源漏刻蚀图形区域；（2）采用ICP刻蚀技术将AlGaN势垒层完全刻蚀去除，并刻蚀至GaN沟道层向下10~50nm处；（3）对步骤（2）所得的源漏刻蚀图形进行清洗处理；（4）清洗处理完成后，对所得的GaN基HEMT外延层进行表面氧化处理；（5）利用光刻技术对步骤（4）所得的GaN基HEMT外延层定义源漏欧姆接触图形区域；（6）依次沉积源漏欧姆接触金属；（7）对步骤（6）进行金属剥离形成源漏电极，于550~700℃进行合金退火处理，形成源漏欧姆接触电极。

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