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山东华光光电子股份有限公司孙春明获国家专利权

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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114583544B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011368407.1,技术领域涉及:H01S5/02;该发明授权一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法是由孙春明;苏建;郑兆河;徐现刚设计研发完成,并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法,该装置提供新型光刻掩膜版和真空固定底座,将晶圆涂胶后在光刻掩膜版进行曝光,然后进行显影、刻蚀,在晶圆上制备深沟结构,再将晶圆固定在真空固定底座上,使得晶圆上的深沟结构深沟结构处于悬空;采用刀具从晶圆的深沟结构的右侧施加压力,使晶圆自然断裂,得到晶圆的自然解理面。采用本发明提供的装置制备晶圆自然解理面的长度具有较高的一致性。

本发明授权一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法在权利要求书中公布了:1.一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置,其特征在于,包括光刻掩膜版和真空固定底座,光刻掩膜版的表面开设有凹槽,凹糟用于对晶圆进行限位,所述凹槽的形状与晶圆的形状相同,所述凹槽的形状包括一个限位平边和与限位平边首尾相连的圆弧边,所述限位平边用于对晶圆的切面进行限位,所述圆弧边用于对晶圆的圆周进行限位;所述凹槽包括透光区和不透光区,所述透光区设置在所述凹槽的边缘,且所述透光区与限位平边相平行,所述透光区用于在晶圆上形成与透光区形状和位置相同的深沟结构;真空固定底座上设置有若干个真空吸孔,真空吸孔用于固定具有深沟结构的晶圆,通过刀具切割固定在真空固定底座上的晶圆,使得晶圆的深沟结构沿110方向自然断裂开,得到晶圆的自然解理面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人山东华光光电子股份有限公司,其通讯地址为:250101 山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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