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龙图腾网获悉江阴长电先进封装有限公司申请的专利一种芯片的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011327765.8，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法是由徐虹;陈栋;金豆;徐霞;陈锦辉;郑芳设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其第一塑封体的芯片单元本体（10）上设置有芯片电极（113）、钝化层Ⅰ（210）、绝缘层Ⅰ（310），其原始对位标记（120）处设置对位标记保护块（150），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，塑封料Ⅰ（510）将对位标记保护块（150）、金属连接件Ⅰ进行塑封，所述塑封料Ⅱ（610）包覆第一塑封体形成第二塑封体，所述再布线金属层（710）参考对位标记保护块（150）设置于第二塑封体上方，所述再布线金属层（710）上方设置钝化层Ⅱ（810）和金属连接件Ⅱ（900）。本发明能够有效地保护芯片正面，提高了产品的可靠性。

本发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其包括第一塑封体、塑封料Ⅱ（610）、再布线金属层（710）、钝化层Ⅱ（810）和金属连接件Ⅱ（900），所述第一塑封体包括具有有源表面的芯片单元本体（10）、原始对位标记（120）和塑封料Ⅰ（510），所述芯片单元本体（10）的有源表面设置有芯片电极（113），所述芯片单元本体（10）的有源表面和芯片电极（113）的上表面设置有钝化层Ⅰ（210）和钝化层Ⅰ开口（213），所述钝化层Ⅰ开口（213）内设置绝缘层Ⅰ（310）和绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）、绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312），所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）露出芯片电极（113）的上表面，所述绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）内设置金属连接件Ⅰ，所述金属连接件Ⅰ通过绝缘层Ⅰ开口Ⅰ（311）与芯片电极（113）连接，所述绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312）露出原始对位标记（120），所述原始对位标记（120）处通过绝缘层Ⅰ开口Ⅱ（312）设置对位标记保护块（150），所述塑封料Ⅰ（510）位于所述绝缘层Ⅰ（310）的上方且将金属连接件Ⅰ、对位标记保护块（150）进行塑封，其上表面与金属连接件Ⅰ的上表面齐平，所述对位标记保护块（150）的材质为透明的树脂，所述塑封料Ⅰ（510）露出对位标记保护块的表面；所述塑封料Ⅱ（610）包覆第一塑封体的四周和背面，形成第二塑封体，其上表面与第一塑封体的上表面齐平；所述再布线金属层（710）参考对位标记保护块（150）设置于第二塑封体上方，所述再布线金属层（710）包括若干层金属层和绝缘填充层，上下相邻的金属层之间选择性连接，绝缘填充层设置于金属层之间，所述再布线金属层（710）的最下起始层设置下层焊盘（713）、最上终止层设置上层焊盘（715），所述下层焊盘（713）和上层焊盘（715）均露出绝缘填充层，其中所述下层焊盘（713）与第一塑封体的金属连接件Ⅰ的上表面连接；所述再布线金属层（710）上方设置钝化层Ⅱ（810）和钝化层Ⅱ开口（813），所述钝化层Ⅱ开口（813）露出再布线金属层（710）的上层焊盘（715）；所述钝化层Ⅱ（810）上方设置金属连接件Ⅱ（900），所述金属连接件Ⅱ（900）与再布线金属层（710）的上层焊盘（715）连接。

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