东京毅力科创株式会社大岛一辉获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利配管和处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112863915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011307263.9，技术领域涉及：H01H9/30；该发明授权配管和处理装置是由大岛一辉设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本配管和处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及配管和处理装置。抑制配管的连接部分处的放电的产生。一种配管，其配置在具有电位差的两个导电性构件之间，使气体从一个所述导电性构件向另一个所述导电性构件流动，其中，该配管具备外筒、芯材以及高介电常数构件。芯材配置在外筒内，具有与外筒的内侧壁相对应的形状的外侧壁。高介电常数构件的介电常数比外筒和芯材的介电常数高。在外筒的内侧壁和芯材的外侧壁的至少任一者形成有螺旋状的槽，螺旋状的槽在芯材收纳在外筒内的状态下形成气体的流路。高介电常数构件配置在外筒的端部和芯材的端部的至少任一者。
本发明授权配管和处理装置在权利要求书中公布了：1.一种配管，其配置在具有电位差的两个导电性构件之间，使气体从一个所述导电性构件向另一个所述导电性构件流动，其中，该配管具备：外筒，其具有内侧壁，所述外筒由树脂形成；芯材，其配置在所述外筒内，具有与所述外筒的内侧壁相对应的形状的外侧壁，所述芯材由树脂形成；嵌入在所述外筒中的第一环状的高介电常数构件，其由包含石英、陶瓷、硅以及金属的至少任一者的材料形成；以及嵌入在所述芯材中的第二环状的高介电常数构件，其由包含石英、陶瓷、硅以及金属的至少任一者的材料形成，在所述外筒的内侧壁和所述芯材的外侧壁的至少任一者形成有螺旋状的槽，所述螺旋状的槽在所述芯材收纳在所述外筒内的状态下形成气体的流路，所述第一环状的高介电常数构件和所述第二环状的高介电常数构件的介电常数比所述外筒和所述芯材的介电常数高。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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