意法半导体股份有限公司F·E·C·迪塞格尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112802524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011268058.6,技术领域涉及:G11C16/08;该发明授权非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法是由F·E·C·迪塞格尼;M·F·佩罗尼;C·托尔蒂;G·斯卡迪诺设计研发完成,并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法在说明书摘要公布了:本公开的各实施例涉及非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法。一种非易失性存储器装置包括耦合到字线的存储器单元阵列和行解码器,该行解码器包括第一下拉级和第二下拉级,第一下拉级和第二下拉级被布置在阵列的相对侧上,并且对于每个第一字线,第一下拉级和第二下拉级分别包括对应的第一下拉开关电路和对应的第二下拉开关电路,第一下拉开关电路和第二下拉开关电路分别被耦合到第一字线的第一点和第二点。行解码器还包括上拉级,对于每个第一字线,上拉级包括对应的上拉开关电路,上拉开关电路是电可控的,以便:在取消选择第一字线的步骤中,将第一点耦合到电源节点;并且在选择第一字线的步骤中,将第一点从电源节点解耦。
本发明授权非易失性存储器装置以及用于选择字线的方法在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器装置,包括:存储器单元的至少一个第一阵列,被布置在行中并且被耦合到第一字线;以及行解码器,包括:第一下拉级和第二下拉级,所述第一下拉级和所述第二下拉级被布置在所述第一阵列的相对侧上,并且对于每个第一字线,所述第一下拉级和所述第二下拉级分别包括对应的第一下拉开关电路和对应的第二下拉开关电路,所述第一下拉开关电路和所述第二下拉开关电路分别被耦合到所述第一字线的第一点和第二点;其中所述第一下拉开关电路是电可控的,以便:在选择所述第一字线时,将所述第一点耦合到对应的第一节点;并且在取消选择所述第一字线时,将所述第一点从所述对应的第一节点解耦;其中所述第二下拉开关电路是电可控的,以便:在选择所述第一字线时,将所述第二点耦合到对应的第二节点;并且在取消选择所述第一字线时,将所述第二点从所述对应的第二节点解耦;并且其中所述行解码器还包括上拉级,对于每个第一字线,所述上拉级包括对应的第一上拉开关电路,所述第一上拉开关电路是电可控的,以便:在取消选择所述第一字线时,将所述第一字线的所述第一点耦合到电源节点;并且在选择所述第一字线时,将所述第一字线的所述第一点从所述电源节点解耦。
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