台湾积体电路制造股份有限公司林孟汉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011006842.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法是由林孟汉;陈德安设计研发完成，并于2020-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法。本发明实施例涉及一种集成电路，其包含：衬底，其具有第一区及第二区；第一隔离结构，其放置于所述衬底中且将所述第一区与所述第二区分离；第一装置，其放置于所述第一区中；第二装置，其放置于所述第二区中；及半导体虚设结构，其放置于所述第一隔离结构上。所述第一隔离结构具有第一顶表面及低于所述第一顶表面的第二顶表面。所述半导体虚设结构覆盖所述第一顶表面的部分、所述第二顶表面的部分及所述第一顶表面与所述第二顶表面之间的边界。
本发明授权集成电路、集成电路布局结构及形成集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其包括：衬底，其包括第一区及第二区；第一隔离结构，其放置于所述衬底中且将所述第一区与所述第二区分离，其中所述第一隔离结构具有第一顶表面及低于所述第一顶表面的第二顶表面；第一装置，其放置于所述第一区中；第二装置，其放置于所述第二区中；框架状半导体虚设结构，其放置于所述第一隔离结构上，其中所述框架状半导体虚设结构覆盖所述第一顶表面的一部分、所述第二顶表面的一部分及所述第一顶表面与所述第二顶表面之间的边界且其中所述框架状半导体虚设结构的宽度小于所述第一区与所述第二区之间的所述第一隔离结构的一部分的宽度，且所述框架状半导体虚设结构的所述宽度大于所述第一装置的宽度及所述第二装置的宽度；及高电介质系数栅极电介质层，其将所述第一隔离结构与所述框架状半导体虚设结构隔开。
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