株式会社日本显示器花田明纮获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114467184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080065097.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置是由花田明纮;海东拓生;渡壁创设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的课题为在使用了氧化物半导体TFT的半导体装置中防止由金属电极夺取氧化物半导体膜的氧而导致的TFT的特性变动。为了解决该课题，本发明采取如下结构。半导体装置的特征在于，具有TFT，该TFT在栅极电极104之上形成有栅极绝缘膜105，在上述栅极绝缘膜105之上形成有氧化物半导体膜106，上述氧化物半导体膜106具有沟道区域1061、漏极区域1063、源极区域1064，俯视下，在上述栅极电极的上表面，在与上述氧化物半导体膜106的上述沟道区域1061相对的部分，形成有金属氮化膜10，上述栅极电极104的上表面的一部分不存在上述金属氮化膜10。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具有TFT，该TFT在栅极电极之上形成有栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜之上形成有氧化物半导体膜，所述半导体装置的特征在于，所述氧化物半导体膜具有沟道区域、漏极区域、源极区域，俯视下，在所述栅极电极的上表面，在与所述氧化物半导体膜的所述沟道区域相对的部分，形成有金属氮化膜，所述栅极电极的上表面的一部分不存在所述金属氮化膜，所述氧化物半导体膜在所述沟道区域与所述漏极区域之间、以及所述沟道区域与所述源极区域之间具有中间电阻区域，在所述栅极电极的上表面的与所述氧化物半导体膜的所述中间电阻区域对应的部分没有形成所述金属氮化膜，在所述栅极电极的上表面的与所述氧化物半导体膜的所述漏极区域及所述源极区域对应的部分形成有所述金属氮化膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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