台湾积体电路制造股份有限公司薛文章获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利极紫外线微影遮罩和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113589640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010969692.6，技术领域涉及：G03F1/24；该发明授权极紫外线微影遮罩和其制造方法是由薛文章;李信昌;连大成设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本极紫外线微影遮罩和其制造方法在说明书摘要公布了：一种极紫外线微影遮罩和其制造方法，制造极紫外线微影遮罩的方法包括形成多层反射层、在多层反射层上形成缓冲层，以及在多层反射层上形成吸收层。在图案化吸收层之前，移除吸收层的外部部分。接着沉积光阻层在吸收层的顶表面上及吸收层的侧壁上。接着图案化光阻层，且在图案化光阻层的存在下，以电浆蚀刻制程蚀刻吸收层。在电浆蚀刻制程期间，在吸收层侧壁上的光阻层有助于改良蚀刻吸收层的均匀性。
本发明授权极紫外线微影遮罩和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种极紫外线微影遮罩，其特征在于，包括：一基板；一多层反射层，位于该基板上且配置成在极紫外线微影制程期间反射紫外线辐射；一缓冲层，位于该多层反射层上；以及一吸收层，位于该缓冲层上且配置成在极紫外线微影制程期间吸收紫外线辐射，其中该吸收层的一第一外围边缘与该缓冲层所对应的一第一外围边缘横向分开一第一距离，该吸收层的一第二外围边缘与该缓冲层所对应的一第二外围边缘横向分开一第二距离，使得该缓冲层中一顶表面的一周边部分暴露在外，其中该吸收层的该第一外围边缘与该吸收层的该第二外围边缘直接相连，且该第一距离及该第二距离大于或等于0.2毫米。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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