思科技术公司维沙尔·萨延德拉·德赛获国家专利权
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龙图腾网获悉思科技术公司申请的专利用于高密度场所的混合中继器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114503614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080064244.X,技术领域涉及:H04W4/38;该发明授权用于高密度场所的混合中继器是由维沙尔·萨延德拉·德赛;杰罗姆·亨利;英德尔密特·辛格·甘地;罗伯特·E·巴顿设计研发完成,并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高密度场所的混合中继器在说明书摘要公布了:可以提供用于高密度场所的混合中继器。首先,可以确定在布置于地面上方的接入点AP处的用户密度值。然后可以确定在布置于地面处的AP中继器处的用户密度值。接下来,可以确定在所述AP处的用户密度值与在所述AP中继器处的用户密度值之间的差值大于预定阈值。然后可以响应于确定在所述AP处的用户密度值与在所述AP中继器处的用户密度值之间的差值大于所述预定阈值,将所述AP中继器从传感器模式切换到AP中继器模式。
本发明授权用于高密度场所的混合中继器在权利要求书中公布了:1.一种用于提供用于高密度场所的混合中继器的方法,包括:通过计算设备确定在布置于地面上方的接入点AP处的用户密度值;确定在布置于地面处的AP中继器处的用户密度值;确定在所述AP处的用户密度值与在所述AP中继器处的用户密度值之间的差值大于预定阈值;以及响应于确定在所述AP处的用户密度值与在所述AP中继器处的用户密度值之间的差值大于所述预定阈值,将所述AP中继器从传感器模式切换到AP中继器模式。
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