上海川土微电子有限公司丁万新获国家专利权
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龙图腾网获悉上海川土微电子有限公司申请的专利一种Quad-CAP高耐压隔离电容及数字隔离器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010832721.4，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权一种Quad-CAP高耐压隔离电容及数字隔离器是由丁万新设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Quad-CAP高耐压隔离电容及数字隔离器在说明书摘要公布了：本公开实施例中提供了一种Quad‑CAP高耐压隔离电容及数字隔离器，包括互相连接的两个隔离电容单元，每个隔离电容单元均包括下极板、上极板以及依次设置在下极板和上极板之间的SiO2介质层和Polyimide介质层，所述SiO2介质层的厚度为9‑11um，Polyimide介质层的厚度为18‑22um。本公开的隔离电容能有效的提高数字隔离器芯片的隔离耐压值，从而提高隔离器芯片的可靠性，同时满足一些高耐压场合的需求。
本发明授权一种Quad-CAP高耐压隔离电容及数字隔离器在权利要求书中公布了：1.一种Quad-CAP高耐压隔离电容，其特征在于，包括互相连接的两个隔离电容单元，每个所述隔离电容单元均包括下极板、上极板以及依次设置在下极板和上极板之间的SiO2介质层和Polyimide介质层，所述下极板为第二层金属M2，所述上极板是晶圆后道加工所形成的厚铜，所述上极板同时作为PAD与另外一颗的隔离电容单元裸芯进行打线互连，所述SiO2介质层的厚度为9-11um，Polyimide介质层的厚度为18-22um，所述隔离电容单元的单颗裸芯有两个串联的隔离电容介质，每个隔离器由两颗裸芯组成，Quad-CAP隔离器的隔离栅由四颗隔离电容串联而成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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