美光科技公司M·纳哈尔获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利晶体管及形成晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055910.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权晶体管及形成晶体管的方法是由M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;K·M·考尔道;M·米奇;刘鸿威;J·B·赫尔设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管及形成晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种晶体管，其包括顶部源极漏极区域、底部源极漏极区域、垂直位于所述顶部源极漏极区域与所述底部源极漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极。所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极漏极区域及所述底部源极漏极区域中的两个。本发明公开其它实施例，包含方法。
本发明授权晶体管及形成晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其包括：顶部源极漏极区域、底部源极漏极区域、垂直位于所述顶部源极漏极区域与所述底部源极漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极；且所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极漏极区域及所述底部源极漏极区域二者，所述顶部源极漏极区域及所述底部源极漏极区域包括多晶晶粒及紧邻近的所述多晶晶粒之间的晶界；所述垂直伸长晶粒包括所述垂直伸长晶粒中的紧邻近的晶粒之间的晶界；所述顶部源极漏极区域及所述沟道区域具有顶部界面，且所述底部源极漏极区域及所述沟道区域具有底部界面；所述顶部源极漏极区域中在所述顶部界面处的所述晶界的至少30％与所述沟道区域中在所述顶部界面处的所述垂直伸长晶粒的所述晶界对准；且所述底部源极漏极区域中在所述底部界面处的所述晶界的至少30％与所述沟道区域中在所述底部界面处的所述垂直伸长晶粒的所述晶界对准。
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