长鑫存储技术有限公司徐亚超获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010696959.9，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由徐亚超设计研发完成，并于2020-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包含以下步骤：提供半导体基材，在半导体基材形成导电层；在导电层表面形成第一保护层；对第一保护层进行钝化处理，使第一保护层形成钝化层，钝化层包含多层薄膜结构，多层薄膜结构的离子浓度不完全相同；在钝化层上形成绝缘层；在绝缘层上依次形成阻挡层和第二保护层。通过上述设计，本发明能够利用第一保护层对导电层提供保护。本发明通过对第一保护层进行钝化处理而形成具有多层结构的钝化层，钝化层至少部分区域的离子浓度比第一保护层的离子浓度大，显著优化水汽阻隔效果。据此，本发明提出的半导体结构能够对其导电层提供有效的保护，特别是具有良好的水汽阻隔效果。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，该方法包含以下步骤：提供半导体基材，在所述半导体基材上形成导电层，所述导电层在延伸方向上具有间断空余区域；在所述导电层以及所述间断空余区域的侧壁表面形成第一保护层；对所述第一保护层进行钝化处理，使所述第一保护层形成钝化层，所述钝化层包含多层薄膜结构，所述多层薄膜结构的氮离子浓度不完全相同；所述钝化处理包含等离子体处理、离子注入或者热氧化处理；在所述钝化层上形成绝缘层；以及在所述绝缘层上依次形成阻挡层和第二保护层。
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