美光科技公司科拉多·维拉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利字线电容平衡获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112289350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010693180.1,技术领域涉及:G11C8/08;该发明授权字线电容平衡是由科拉多·维拉;S·D·莫泽设计研发完成,并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本字线电容平衡在说明书摘要公布了:本申请案涉及字线电容平衡。一种存储器装置可包含一组存储器区块,其中一或多个存储器区块可位于所述组的边界处。每一边界存储器区块可具有与驱动器及存储器单元子阵列耦合的字线,且还可包含与所述驱动器耦合的负载平衡组件例如电容性组件。在一些实例中,所述负载平衡组件可与所述驱动器的输出线例如字线或所述驱动器的输入例如提供源信号的线耦合。所述负载平衡组件可使从所述驱动器输出的负载适应所述存储器单元子阵列,使得所述边界处的所述存储器区块的所述负载可类似于不在所述边界处的其它存储器区块的所述负载。
本发明授权字线电容平衡在权利要求书中公布了:1.一种存储器设备,其包括:多个存储器区块,其包括第一存储器区块和第二存储器区块,所述第二存储器区块位于所述多个存储器区块的边界处且包括存储器单元阵列;字线,其与所述存储器单元阵列及驱动器耦合,所述字线与第二电容性负载相关联;及电容性组件,其与所述字线和所述驱动器的输出耦合且与所述第一存储器区块隔离,所述电容性组件至少部分地基于所述第二电容性负载和第一电容性负载之间的差使从所述驱动器输出的负载适应所述存储器单元阵列,所述第一电容性负载与耦合到所述第一存储器区块的一或多个字线相关联,所述负载包括所述第二电容性负载的至少一部分。
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