三星电子株式会社李学承获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010655330.X，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权半导体器件和半导体封装件是由李学承;金镇南;文光辰;金恩知;金泰成;朴相俊设计研发完成，并于2020-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和半导体封装件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件和半导体封装件。所述半导体体器件包括：具有至少一个半导体结构的半导体衬底；层间绝缘层，其设置在半导体衬底上；至少一个第一过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域在层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从第一区域延伸，并且在半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，第一区域的侧表面和第二区域的侧表面在第一区域与第二区域之间的边界具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并且在层间绝缘层的上表面具有大于第一宽度的第三宽度。
本发明授权半导体器件和半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一个半导体结构；层间绝缘层，其设置在所述半导体衬底和所述半导体结构上；至少一个第一过孔结构，其穿透所述半导体衬底和所述层间绝缘层，所述第一过孔结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从所述第一区域延伸，并且在所述半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，所述第一区域的侧表面和所述第二区域的侧表面在所述第一区域与所述第二区域之间的边界表面具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透所述半导体衬底和所述层间绝缘层，并且在所述层间绝缘层的上表面具有大于所述第一宽度的第三宽度，其中，所述边界表面位于所述半导体衬底中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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