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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利等离子体处理腔室中用于高偏压射频(RF)功率应用的静电卡盘获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113474876B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080017081.X，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权等离子体处理腔室中用于高偏压射频(RF)功率应用的静电卡盘是由赵在龙;S·拉乌夫;P·田设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体处理腔室中用于高偏压射频(RF)功率应用的静电卡盘在说明书摘要公布了：此处提供静电卡盘的实施例。在一些实施例中，一种在基板处理腔室中使用的静电卡盘，包括：板，具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电极，嵌入板中靠近第一侧；第二电极，嵌入板中靠近第二侧；多个导电元件，将第一电极耦合至第二电极；第一气体通道，设置于板内并且介于第一电极及第二电极之间；气体入口，从板的第二侧延伸至第一气体通道；以及多个气体出口，从板的第一侧延伸至第一气体通道。

本发明授权等离子体处理腔室中用于高偏压射频(RF)功率应用的静电卡盘在权利要求书中公布了：1.一种在基板处理腔室中使用的静电卡盘，包括：板，所述板具有配置成支撑基板的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；第一电极，所述第一电极嵌入所述板中靠近所述第一侧；第二电极，所述第二电极嵌入所述板中靠近第二侧，其中所述第二电极从所述第一电极径向向外延伸；多个导电元件，所述多个导电元件将所述第一电极耦合至所述第二电极；第三电极，所述第三电极嵌入所述板的周围区域中、在所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述第三电极经由导电元件从所述第二电极垂直向上延伸，并且其中所述板包括位于上部周边边缘处的缺口，并且其中所述第一电极和所述第一侧之间的距离实质上等于所述第三电极和所述缺口的底表面之间的距离；第一气体通道，所述第一气体通道设置在所述板内并且介于所述第一电极与所述第二电极之间；第一气体入口，所述气体入口从所述板的所述第二侧延伸至所述第一气体通道；以及多个第一气体出口，所述多个第一气体出口从所述板的所述第一侧延伸至所述第一气体通道，其中所述第一气体通道包括多个气体通道，所述多个气体通道在所述板内流体连通并且在所述第一电极与所述第二电极之间从所述气体入口横跨所述静电卡盘水平地延伸至与所述多个第一气体出口相对应的多个端部，其中所述多个气体通道中的至少一些在径向方向上延伸，使得所述第一气体入口设置在所述多个第一气体出口的径向内侧或径向外侧。

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