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龙图腾网获悉无锡科技职业学院申请的专利高电源抑制比基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111190453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010029689.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权高电源抑制比基准电路是由王宇星;曹薇薇设计研发完成，并于2020-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本高电源抑制比基准电路在说明书摘要公布了：高电源抑制比基准电路，其结构设计简单合理，可降低功耗和投入成本，其包括启动电路模块、带隙基准电路模块，其还包括预调节电路模块，所述预调节电路模块输入端连接电压源VDD，预调节电路模块用于形成内部稳定电压，产生预稳压源Vreg，为带隙基准电路模块供电，启动电路模块分别与所述带隙基准电路模块、预调节电路模块连接，所述带隙基准电路模块采用自偏置电流镜的电流模结构。

本发明授权高电源抑制比基准电路在权利要求书中公布了：1.一种高电源抑制比基准电路，其包括启动电路模块、带隙基准电路模块，其特征在于，其还包括预调节电路模块，所述预调节电路模块输入端连接电压源VDD，所述预调节电路模块用于形成内部稳定电压，产生预稳压源Vreg，为所述带隙基准电路模块供电，所述启动电路模块分别与所述带隙基准电路模块、预调节电路模块连接，所述带隙基准电路模块采用自偏置电流镜的电流模结构；所述启动电路包括MOS管MS1，所述MOS管MS1源极分别连接MOS管MS2源极、MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6源极、MOS管MP7、MN10漏极、电容Cc一端，所述MOS管MS1漏极分别连接MOS管MS2栅极、电容Cs一端，所述MOS管MS2漏极分别连接所述MOS管MP1、MN1漏极和栅极、MOS管MN2、MN6、MP6栅极；所述带隙基准电路模块包括所述MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7，所述MOS管MP1栅极分别连接所述MOS管MP2栅极和漏极、MOS管MN2、MN6漏极、MOS管MP3、MP4、MP5栅极，所述MOS管MN1源极连接三极管QB1发射极，所述MOS管MN2源极连接电阻R1一端，所述电阻R1另一端连接三极管QB2发射极，所述MOS管MN6源极分别连接MOS管MN3、MN4漏极，所述MOS管MN3源极连接电阻R2一端，所述MOS管MN4源极分别连接三极管QB3发射极、MOS管MN5源极，所述MOS管MN5基极分别连接所述MOS管MN5漏极、MOS管MN7栅极、MOS管MP3漏极，所述MOS管MN7源极分别连接电容C1一端、电阻R5一端、MOS管MP4漏极；带隙基准电路模块中的MOS管MN1、MN2、MP1和MP2组成的自偏置电流镜与三极管QB1、QB2和电阻R1共同作用产生电流IPTAT，MOS管MN3、MN4、MN6、三极管QB3和电阻R2则用于产生电流ICTAT；两支电流IPTAT、ICTAT通过MOS管MP2汇合并镜像输出到MOS管MP4支路，在电阻R5上转换生成基准电压Vref；镜像到MOS管MP3支路的电流通过MOS管MN5的电压转换分别给MOS管MN3、MN4提供栅极偏置电压，同时三极管QB3获得部分偏置电流；MOS管MN7起到负反馈的微调作用：当MOS管MP4支路电流增大时，MOS管MN7的源极端相应电位被提高，使MOS管MN7流入负载电阻的电流减小；反之，若MP4支路电流减小，MOS管MN7的源极端电位下降，其支路的电流增大，由于输出电压变化对MOS管MN7中电流的变化影响较大，因此MOS管MN7电流只能占输出总电流很小的比重，即起到微小的负反馈调节作用，以维持输出的稳定。

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