台湾积体电路制造股份有限公司林孟汉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349723B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911416488.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权集成电路及其形成方法是由林孟汉;邱德馨设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成方法在说明书摘要公布了：本案提供一种集成电路元件，包括多个金属栅极及多个多晶硅栅极，每个金属栅极具有金属电极及高介电常数介电质，每个多晶硅栅极具有多晶硅电极及习用非高介电常数介电质。多晶硅栅极已经为作为高压栅极操作进行了改进，此高压栅极包括厚介电层及大于1μm2的面积。具有这些改进的多晶硅栅极可在10V或更高的栅极电压下操作，并且可用于嵌入式记忆体元件中。
本发明授权集成电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其特征在于，包括：一半导体基板，包含一记忆体区域和一周边区域；一记忆体装置，在该记忆体区域内；多个金属栅极，在该周边区域内，每个包括一金属电极及一高介电常数介电质；以及多个多晶硅栅极，在该周边区域内，每个包括一多晶硅电极、一通道区域、及从该通道区域跨至该多晶硅电极的一或多个介电质；其中该些多晶硅栅极的该一或多个介电质中的每一者具有一介电常数，该介电常数低于任意高介电常数介电质的一介电常数；所述多晶硅电极的一面积大于于该金属电极的一面积；所述多晶硅电极的一顶表面与所述金属电极的一顶表面齐平；以及该些多晶硅栅极中的一或多者为一高压元件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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