富士电机株式会社小幡智幸获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112543993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980050332.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置是由小幡智幸;吉田崇一设计研发完成，并于2019-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置期望耐量高。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，设置于半导体基板；第一阱区和第二阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时夹着有源部；周边阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时包围有源部；中间阱区，设置于半导体基板，并在俯视时配置在第一阱区和第二阱区之间；第一焊盘，配置在第一阱区的上方；第二焊盘，配置在第二阱区的上方；以及温度感测二极管，配置在中间阱区的上方。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；有源部，设置于所述半导体基板；第一阱区和第二阱区，设置于所述半导体基板，并配置为在俯视时夹着所述有源部；周边阱区，设置于所述半导体基板，并配置为在俯视时包围所述有源部；中间阱区，设置于所述半导体基板，并在俯视时配置在所述第一阱区和所述第二阱区之间；第一焊盘，配置在所述第一阱区的上方；第二焊盘，配置在所述第二阱区的上方；以及温度感测二极管，配置在所述中间阱区的上方，所述中间阱区在俯视时从所述第一阱区起设置至所述第二阱区为止。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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