台湾积体电路制造股份有限公司何俊智获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111007695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910950704.8，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法是由何俊智;张庆裕;林进祥设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种光致抗蚀剂成分包括：共轭抗蚀添加剂；光活性化合物；以及聚合物树脂。所述共轭抗蚀添加剂是选自由以下项构成的组中的一项或多项：聚乙炔、聚噻吩、聚苯撑乙烯、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺。所述聚乙炔、聚噻吩、聚苯乙烯基、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺包括取代基，所述取代基选自由以下项构成的组中：烷基、醚基、酯基、烯基、芳族基、蒽基、醇基、胺基、羧酸基和酰胺基。另一光致抗蚀剂成分包括具有共轭部分的聚合物树脂和光活性化合物。所述共轭部分是选自由以下项构成的组的一项或多项：聚乙炔、聚噻吩、聚苯撑乙烯、聚芴、聚吡咯、聚苯和聚苯胺。
本发明授权光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法在权利要求书中公布了：1.一种光致抗蚀剂组合物，包括：聚合物树脂，所述聚合物树脂具有共轭部分；以及光活性化合物；其中，所述共轭部分是聚噻吩，其中，具有共轭部分的所述聚合物树脂为 并且R是取代基，其中取代基R是烷基、醚基、酯基、烯基、芳基、蒽基、醇基、胺基、羧酸基或酰胺基，其中，n在1至200的范围内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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