三星电子株式会社李俊明获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911550B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910871580.4，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备是由李俊明;朴镕盛;朴正宪;赵显;皮雄焕设计研发完成，并于2019-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备在说明书摘要公布了：一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。
本发明授权磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备在权利要求书中公布了：1.一种磁性存储器装置，包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于所述第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于所述第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于所述第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于所述第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，所述第一氧化物图案的厚度与所述第一自由图案的厚度之比不同于所述第二氧化物图案的厚度与所述第二自由图案的厚度之比，其中，所述第一氧化物图案比所述第二氧化物图案厚，并且所述第一自由图案和所述第二自由图案均是具有可变化的磁化方向的自由层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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