微软技术许可有限责任公司P·阿塞夫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365290B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980100172.7，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权制造方法是由P·阿塞夫;P·卡洛夫-高纳克;L·P·考恩霍文设计研发完成，并于2019-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造方法在说明书摘要公布了：一种制造方法，包括：在衬底2的晶体表面上形成非晶材料的掩模10，该掩模具有开口图案，开口图案限定有源区的区域，一个或多个有源设备的一个或多个组件在有源区的区域中将要被形成，该掩模还限定非有源区，有源设备在非有源区中不被形成；以及通过外延生长过程，形成穿过掩模的沉积材料4。因此，沉积材料在有源区的开口中形成。穿过掩模的开口图案还包括在非有源区中形成的一个或多个存储区8，存储区中的每个存储区通过掩模中的开口图案被连接到有源区中的区域中的至少一个区域，并且作为外延生长的一部分，沉积材料在存储区中形成。
本发明授权制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造方法，包括：提供具有晶体表面的衬底；在所述衬底的所述表面上形成非晶材料的掩模，所述掩模具有穿过所述掩模的开口图案，所述掩模限定有源区的区域，一个或多个有源设备的一个或多个组件在所述有源区的区域中将要被形成，所述掩模还限定非有源区，有源设备在所述非有源区中不被形成；以及通过外延生长过程，形成穿过所述掩模的沉积材料，从而所述沉积材料在所述有源区的所述开口中形成，以形成所述一个或多个有源设备的所述一个或多个组件；其中穿过所述掩模的所述开口图案还包括在所述非有源区中形成的一个或多个存储区，所述一个或多个存储区中的每个存储区通过所述掩模中的所述开口图案被连接到所述有源区中的所述区域中的至少一个区域，并且作为所述外延生长的一部分，所述沉积材料在所述一个或多个存储区中形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人微软技术许可有限责任公司，其通讯地址为：美国华盛顿州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号