恭喜长鑫存储技术有限公司张志伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利测试结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910579197.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构及其制作方法是由张志伟设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开是关于一种测试结构及其制作方法，所述测试结构包括：衬底、测试电路、止裂槽和封口层，所述衬底包括切割区；测试电路形成于所述切割区；止裂槽形成于所述切割区，且所述止裂槽排布于所述测试电路的侧部；封口层形成于所述衬底表面，覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙。通过止裂槽解决了在沿切割道切割晶圆时，由于测试电路中的金属层的影响导致切割道龟裂，将切割应力传递至晶粒区域，进而可能破坏晶粒区的问题，有利于提高产品良品率和稳定性。
本发明授权测试结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：衬底，所述衬底包括切割区和晶粒区；测试电路，形成于所述切割区；止裂槽，形成于所述切割区，且所述止裂槽排布于所述测试电路与所述晶粒区之间；封口层，形成于所述衬底表面，覆盖所述止裂槽以使所述止裂槽内形成气体间隙，所述封口层还包括第一开口凹槽，所述第一开口凹槽位于所述测试电路在所述封口层的投影区；所述测试结构还包括：钝化层，形成于所述封口层远离所述衬底的一侧，且所述钝化层上设置有第二开口凹槽，所述第二开口凹槽位于所述第一开口凹槽在所述钝化层上的投影区域，所述第二开口凹槽暴露所述测试电路；保护层，形成于所述钝化层远离所述衬底的一侧，且所述保护层上设置有第三开口凹槽，所述第三开口凹槽位于所述第一开口凹槽在所述保护层上的投影区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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