恭喜应用材料公司姜浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于制造半导体装置的互连结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112236854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980037590.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权用于制造半导体装置的互连结构的方法是由姜浩;任河;陈浩;梅裕尔·B·奈克设计研发完成，并于2019-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体装置的互连结构的方法在说明书摘要公布了：一般而言，本文描述的实施方式涉及用于制造半导体装置的互连结构的方法，诸如双减法蚀刻工艺。一个实施方式为用于半导体处理的方法。氮化钛层形成于基板上方。硬掩模层形成于氮化钛层上方。将硬掩模层图案化成图案。将图案转印至氮化钛层，其中转印步骤包括蚀刻氮化钛层。在将图案转印至氮化钛层之后，去除硬掩模层，其中去除步骤包括执行含氧灰化工艺。
本发明授权用于制造半导体装置的互连结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体处理的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上方形成第一钌层；在所述第一钌层上方形成第二氮化钛层；在所述第二氮化钛层上方形成第二钌层；在所述第二钌层上沉积第一氮化钛层；在所述第一氮化钛层上方形成硬掩模层；将所述硬掩模层图案化成第一图案；将所述第一图案转印至所述第一氮化钛层，将所述第一图案转印至所述第一氮化钛层的步骤包括蚀刻所述第一氮化钛层；和在将所述第一图案转印至所述第一氮化钛层之后，去除所述硬掩模层，去除所述硬掩模层的步骤包括执行含氧灰化工艺。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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