恭喜洛克利光子有限公司张毅获国家专利权
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龙图腾网恭喜洛克利光子有限公司申请的专利光电探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112534590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980036202.2，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权光电探测器及其制造方法是由张毅;H·阿贝戴斯尔;A·J·齐尔基设计研发完成，并于2019-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种硅基光电探测器及其制造方法。所述光电探测器包括：硅衬底201；掩埋氧化物层202，所述掩埋氧化物层在所述硅衬底上方；以及波导203，所述波导在所述掩埋氧化物层上方。所述波导203包括含硅Si区和含锗锡GeSn区209，这两者都位于所述波导203的第一掺杂区206与第二掺杂区207之间，从而形成PIN二极管。所述第一掺杂区206和所述第二掺杂区207分别连接到第一电极210a和第二电极210b，使得所述波导203能够作为光电探测器进行操作。
本发明授权光电探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基光电探测器，包括：硅衬底；掩埋氧化物层，所述掩埋氧化物层在所述硅衬底上方；以及波导，所述波导在所述掩埋氧化物层上方，并且所述波导是位于第一平板部分与第二平板部分之间的肋形波导；其中所述波导包括含硅Si区和含锗锡GeSn区，这两者都位于所述波导的第一掺杂区与第二掺杂区之间，从而形成PIN二极管；其中在从所述硅衬底延伸到所述波导的高度方向上，所述含锗锡GeSn区的下表面高于所述第一平板部分和所述第二平板部分的上表面；并且其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别连接到第一电极和第二电极，使得所述波导能够作为光电探测器进行操作。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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