恭喜应用材料公司E·文卡塔苏布磊曼聂获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112041481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880092808.3，技术领域涉及：C23C16/503；该发明授权用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积是由E·文卡塔苏布磊曼聂;杨扬;P·曼纳;K·拉马斯瓦米;T·越泽;A·B·玛里克设计研发完成，并于2018-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于使用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺将非晶碳层沉积到基板上、包括沉积在所述基板上的先前形成的层上方的方法，具体而言，本文中描述的方法利用RFAC功率和脉冲DC功率的组合来产生等离子体，所述等离子体以sp3类金刚石碳与sp2类石墨碳的高比率来沉积非晶碳层。所述方法还提供了较低处理压力、较低处理温度和较高处理功率，以上各项中的每一者单独地或组合地可进一步增大在所沉积的非晶碳层中sp3碳的相对分数。由于较高的sp3碳分数，与通过常规方法沉积的非晶碳层相比，本文中描述的方法提供了具有改进的密度、刚度、蚀刻选择性和膜应力的非晶碳层。
本发明授权用于进行图案化的高品质C膜的脉冲等离子体(DC/RF)沉积在权利要求书中公布了：1.一种处理基板的方法，包括：将所述基板定位在设置在工艺腔室的工艺容积中的基板支撑件上；使包括碳氢化合物气体和稀释气体的工艺气体流动到所述工艺容积中；将所述工艺容积维持在小于100毫托的压力；通过将第一功率施加到所述工艺腔室的第一电极并将第二功率施加到所述工艺腔室的第二电极来形成所述工艺气体的等离子体，其中所述第一功率是RFAC功率且所述第二功率是第一脉冲DC功率；将所述基板支撑件维持在小于200℃的温度；使所述基板的表面暴露于所述等离子体；以及在所述基板的所述表面上沉积非晶碳层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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