株式会社半导体能源研究所山本朗央获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利摄像装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115022559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210606282.4，技术领域涉及：H04N25/46；该发明授权摄像装置及电子设备是由山本朗央设计研发完成，并于2018-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本摄像装置及电子设备在说明书摘要公布了：本公开涉及摄像装置及电子设备。提供一种容易进行池化处理的摄像装置。在摄像装置中，像素区域包括多个池化模块及输出电路，池化模块包括池化电路及比较模块，池化电路包括多个像素及运算电路，比较模块包括多个比较电路及判定电路。像素可以通过光电转换而取得第一信号，以任意倍率对第一信号进行乘法而生成第二信号。池化电路通过运算电路对多个第二信号进行加法而生成第三信号，比较模块通过比较多个第三信号而将最大的第三信号输出到判定电路，判定电路具有判定最大的第三信号而使其二值化，并生成第四信号。池化模块根据像素的数量进行池化处理，并输出进行了池化处理的数据。
本发明授权摄像装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种拍摄装置，包括：拍摄区域中的多个像素；以及电流镜电路，包括第一晶体管和第二晶体管，其中，所述多个像素和所述电流镜电路堆叠，所述多个像素包括第一多个像素和第二多个像素，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接到第一布线，其中基于从所述第一多个像素获得的模拟信号的电流被输入到该第一布线，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述的一个电连接到所述第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的源极和漏极中的一个，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线，其中基于从所述第二多个像素获得的模拟信号的电流被输入到该第二布线，以及所述第二晶体管的栅极电连接到所述第一晶体管的所述栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号