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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利沟槽肖特基二极管结构参数优化方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119939955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510420879.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权沟槽肖特基二极管结构参数优化方法及系统是由谢刚;龚妮娜;唐威设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽肖特基二极管结构参数优化方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了沟槽肖特基二极管结构参数优化方法及系统，涉及数据处理相关领域，该方法包括：获取目标沟槽肖特基二极管的应用场景特征集合；进行关键结构参数匹配和历史应用记录挖掘；遍历历史应用记录集合进行损失量计算；对历史应用记录集合进行检索，获得历史关键结构参数组集合；将历史关键结构参数组集合作为初始优化空间，结合历史损失量集合和预设扩充尺度进行竞争扩充，获得目标优化空间；进行关键结构参数聚集搜索，确定目标关键结构参数组，作为结构参数优化结果。解决了现有沟槽肖特基二极管结构参数优化存在的优化效率低下，优化结果缺乏准确性的技术问题，达到了提高优化效率，确保优化结果的准确性和可靠性的技术效果。

本发明授权沟槽肖特基二极管结构参数优化方法及系统在权利要求书中公布了：1.沟槽肖特基二极管结构参数优化方法，其特征在于，所述方法包括：获取目标沟槽肖特基二极管的应用场景特征集合；基于所述应用场景特征集合进行关键结构参数匹配和历史应用记录挖掘，获得关键结构参数组和历史应用记录集合；利用损失目标函数，遍历所述历史应用记录集合进行损失量计算，获得历史损失量集合；以所述关键结构参数组为索引，对所述历史应用记录集合进行检索，获得历史关键结构参数组集合；将所述历史关键结构参数组集合作为初始优化空间，结合所述历史损失量集合和预设扩充尺度对所述初始优化空间进行竞争扩充，获得目标优化空间；对所述目标优化空间进行关键结构参数聚集搜索，确定目标关键结构参数组，将所述目标关键结构参数组作为结构参数优化结果；其中，将所述历史关键结构参数组集合作为初始优化空间，结合所述历史损失量集合和预设扩充尺度对所述初始优化空间进行竞争扩充，获得目标优化空间，包括：提取所述历史损失量集合中历史损失量最大值，将历史损失量最大值对应的历史关键结构参数组作为竞争扩充躲避方向，提取所述历史损失量集合中历史损失量最小值，将历史损失量最小值对应的历史关键结构参数组作为竞争扩充移动方向；基于所述竞争扩充躲避方向和所述竞争扩充移动方向，按照所述预设扩充尺度对所述初始优化空间内的历史关键结构参数组集合，进行至少一个关键结构参数的调整，获得阶段竞争扩充优化空间；利用竞争扩充评价函数对所述阶段竞争扩充优化空间进行评价，获得阶段竞争扩充评价结果；判断所述阶段竞争扩充评价结果是否满足预设要求，若是，则将所述阶段竞争扩充优化空间作为所述目标优化空间；若否，则再次对所述初始优化空间内的历史关键结构参数组集合进行竞争扩充，并根据扩充结果对阶段竞争扩充优化空间进行更新。

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