中国人民解放军国防科技大学张志成获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利半导体发光结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510404972.5，技术领域涉及：H01S5/065；该发明授权半导体发光结构及其制备方法是由张志成;王俊;程洋;张超凡;王文鑫;王红岩设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：光子晶体层，光子晶体层包括第一半导体层，第一半导体层中具有凹槽，第一半导体层包括在垂直于半导体衬底层的方向上堆叠的多层子半导体层，相邻的子半导体层的材料不同，每层子半导体的厚度小于或等于100nm；其中，凹槽的宽度在垂直于半导体衬底层的方向上的第一位置处具有最小值，第一位置至半导体衬底层的间隔距离大于凹槽朝向半导体衬底层的一端至半导体衬底层的间隔距离；或者，凹槽的宽度在垂直于半导体衬底层的方向上的第二位置处具有最大值，第二位置至半导体衬底层的间隔距离小于凹槽背离半导体衬底层的一端至半导体衬底层的间隔距离。
本发明授权半导体发光结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的光子晶体层，所述光子晶体层包括第一半导体层，所述第一半导体层中具有多个间隔的凹槽，多个凹槽呈周期性排布，所述凹槽自所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面延伸至所述第一半导体层中；其中，所述第一半导体层包括在垂直于所述半导体衬底层的方向上堆叠的多层子半导体层，相邻的子半导体层的材料不同，每层所述子半导体的厚度小于或等于100nm；其中，所述凹槽的宽度在垂直于所述半导体衬底层的方向上的第一位置处具有最小值，所述第一位置至所述半导体衬底层的间隔距离大于所述凹槽朝向所述半导体衬底层的一端至所述半导体衬底层的间隔距离；或者，所述凹槽的宽度在垂直于所述半导体衬底层的方向上的第二位置处具有最大值，所述第二位置至所述半导体衬底层的间隔距离小于所述凹槽背离所述半导体衬底层的一端至所述半导体衬底层的间隔距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学，其通讯地址为：410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号