西安交通大学胡光获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种单键聚合物辐照损伤计算方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920387B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510405349.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种单键聚合物辐照损伤计算方法、装置、设备及介质是由胡光;纪富;胡华四;唐灵芝;燕奕宏;孙伟强设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单键聚合物辐照损伤计算方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单键聚合物辐照损伤计算方法、装置、设备及介质，涉及聚合物辐照损伤计算技术领域，包括以下步骤：确定γ射线与单键聚合物的微观截面类型；将γ射线对单键聚合物的辐照损伤等价为γ射线对共价键的作用概率；根据不同共价键的成键结构数据获取γ射线对不同共价键的断键概率；根据总沉积能量和不同共价键的断键概率获取初始自由基浓度。本发明建立了γ射线对单键聚合物中构成共价键的核素原子核外电子的作用概率，可以计算γ射线在聚合物中的辐照损伤在各种共价键上的分配，对辐照损伤导致的共价键断键概率进行准确计算，获取了自由基浓度与材料吸收剂量之间的定量关系。
本发明授权一种单键聚合物辐照损伤计算方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种单键聚合物辐照损伤计算方法，其特征在于，包括以下步骤：基于γ射线与单键聚合物的相互作用原理，确定γ射线与单键聚合物的微观截面类型；基于微观截面类型将γ射线对单键聚合物的辐照损伤等价为γ射线对共价键的作用概率；获取单键聚合物中不同共价键的成键结构数据，根据不同共价键的成键结构数据获取γ射线对不同共价键的作用概率；根据γ射线对不同共价键的作用概率和单键聚合物中不同共价键的数量获取γ射线对不同共价键的断键概率；获取γ射线在单键聚合物中的总沉积能量，根据总沉积能量和不同共价键的断键概率获取初始自由基浓度；构建单键聚合物的未辐照模型，将初始自由基浓度输入至未辐照模型，获取不同程度辐照损伤的单键聚合物的宏观性能。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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